也就是内部存储器，主要用来运行程序的，典型的就是 RAM 随机存储器（Random Access Memory），那么随机是什么意思？所谓随机，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关（任何位置读写速度一样）。

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）是最为常见的系统内存。我们使用的电脑和手机的运行内存都是 DRAM。DRAM 使用电容存储，DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。数据的存储，请参考数据存储模型。我们知道，电容中的电荷很容易变化，所以随着时间推移，电容中的电荷数会增加或减少，为了确保数据不会丢失，DRAM 每隔一段时间会给电容刷新（充电或放电）。动态：定时刷新数据

SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，其内部机构比 DRAM 复杂，可以做到不刷新电路即能保存它内部存储的数据。静态：不需要刷新

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的 SDRAM 技术。DDR 内存芯片的数据预取宽度（Prefetch）为 2 bit（SDRAM 的两倍）。

DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2 内存 Prefetch 又再度提升至 4 bit（DDR 的两倍）

DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3 内存 Prefetch 提升至 8 bit，即每次会存取 8 bits 为一组的数据。运算频率介于 800MHz -1600MHz 之间。

外存

外部存储器，通常用来存储文件的，一般也叫 ROM（Read-only memory）只读存储器。

CPU 连接内存和外存的连接方式不同。内存需要直接地址访问，所以是通过地址总线&数据总线的总线式访问方式连接的（好处是直接访问，随机访问；坏处是占用 CPU 的地址空间，大小受限）；外存是通过 CPU 的外存接口来连接的（好处是不占用 CPU 的地址空间，坏处是访问速度没有总线式快，访问时序较复杂）

我们平时用的硬盘，SD 卡都属于 ROM，但是他们却可以写入？ROM 严格意义来讲确实是只读的，但是随着储存器的发展，出现了可擦可编程只读存储器（EPROM）、电可擦可编程只读存储器（EEPROM）形式的半导体存储器，以及 flash。他们都是可写的。ROM 就不再单单只表示只读存储器了，一般来说与 RAM 相对，掉电不易失的存储器都被当做 ROM。

ROM

ROM（Read Only Memory）只读存储器，这种存储器（Memory）的内容任何情况下都不会改变，电脑与用户只能读取保存在这里的指令，和使用存储在 ROM 的资料，但不能变更或存入资料。ROM 被存储在一个非易失性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种存储器多用来存储特定功能的程序，如固件。ROM 存储用来启动电脑的程序（如BIOS），电脑引导的时候 BIOS 提供一连串的指令对中央处理器（CPU）等组件进行初始化，在初始化过程中，BIOS 程序初始化并检查RAM。

NorFlash

总线式访问，接到 SROM bank，优点是可以直接总线访问，一般用来启动。

NandFlash

SLC：容量小，价格高，稳定性高

MLC：容量大，价格低，稳定性差，易出坏块

iNand SanDisk 公司出产的 eMMC

moviNand 三星公司出产的 eMMC

oneNAND 三星公司出的一种 Nand，价格贵，用的少

SD 卡（Secure Digital Memory Card）

TF 卡（TransFLash Card, MicroSD）

MMC 卡

eMMC 卡（embeded MMC） 嵌入式的 MMC，可以当成一种芯片，内部做了坏块处理

SATA 硬盘

特点：机械式访问、磁存储原理、SATA 是接口。